2SD1466 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1466
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: TO218
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2SD1466 datasheet
2sd1466.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1466 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 450V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 8A CE(sat) C High DC Current Gain h = 200(Min) @ I = 15A, V = 3V FE C CE 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
2sd1468.pdf
2SD1834 Transistors Transistors 2SD1468S / 2SD1865 (94S-340-D64) (94L-767-D65) 311 Appendix Notes No technical content pages of this document may be reproduced in any form or transmitted by any means without prior permission of ROHM CO.,LTD. The contents described herein are subject to change without notice. The specifications for the product described in this document are for re
Otros transistores... 2SD1460, 2SD1461, 2SD1462, 2SD1463, 2SD1464, 2SD1465, 2SD1465L, 2SD1465S, D965, 2SD1468, 2SD1469, 2SD146F, 2SD147, 2SD1470, 2SD1471, 2SD1472, 2SD1473
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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