2SD1466. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1466

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SD1466

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1466 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
2sd1466.pdfpdf_icon

2SD1466

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1466 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 450V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max) @I = 8A CE(sat) C High DC Current Gain h = 200(Min) @ I = 15A, V = 3V FE C CE 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance

 8.1. Size:325K  1
2sd1834 2sd1468s 2sd1865.pdfpdf_icon

2SD1466

 8.2. Size:269K  1
2sd1469 2sd1920.pdfpdf_icon

2SD1466

 8.3. Size:47K  rohm
2sd1468.pdfpdf_icon

2SD1466

2SD1834 Transistors Transistors 2SD1468S / 2SD1865 (94S-340-D64) (94L-767-D65) 311 Appendix Notes No technical content pages of this document may be reproduced in any form or transmitted by any means without prior permission of ROHM CO.,LTD. The contents described herein are subject to change without notice. The specifications for the product described in this document are for re

Другие транзисторы: 2SD1460, 2SD1461, 2SD1462, 2SD1463, 2SD1464, 2SD1465, 2SD1465L, 2SD1465S, D965, 2SD1468, 2SD1469, 2SD146F, 2SD147, 2SD1470, 2SD1471, 2SD1472, 2SD1473