2N23 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N23

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 33 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 19

Encapsulados: TO7

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2N23 datasheet

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2N23

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N2369/D Switching Transistors 2N2369 NPN Silicon * 2N2369A COLLECTOR 3 *Motorola Preferred Device 2 BASE 1 EMITTER 3 2 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit CASE 22 03, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 15 Vdc TO 18 (TO 206AA) Collector Emitter Voltage VCES 40 Vdc Collector Base Voltage

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2N23

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2369 NPN switching transistor 1997 Jun 20 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor 2N2369 FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V). 1 emitter 2 base APPLICATIO

Otros transistores... 2N2292, 2N2293, 2N2294, 2N2295, 2N2296, 2N2297, 2N2297-51, 2N2297S, 2SC2655, 2N230, 2N2303, 2N2303-46, 2N2303-51, 2N2304, 2N2305, 2N2306, 2N2306A