2N23. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N23

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 19

Корпус транзистора: TO7

 Аналоги (замена) для 2N23

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N23 даташит

 0.1. Size:626K  rca
2n2338.pdfpdf_icon

2N23

 0.2. Size:572K  rca
2n2339.pdfpdf_icon

2N23

 0.3. Size:291K  motorola
2n2369 2n2369re.pdfpdf_icon

2N23

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N2369/D Switching Transistors 2N2369 NPN Silicon * 2N2369A COLLECTOR 3 *Motorola Preferred Device 2 BASE 1 EMITTER 3 2 1 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit CASE 22 03, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 15 Vdc TO 18 (TO 206AA) Collector Emitter Voltage VCES 40 Vdc Collector Base Voltage

 0.4. Size:52K  philips
2n2369.pdfpdf_icon

2N23

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2369 NPN switching transistor 1997 Jun 20 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor 2N2369 FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V). 1 emitter 2 base APPLICATIO

Другие транзисторы: 2N2292, 2N2293, 2N2294, 2N2295, 2N2296, 2N2297, 2N2297-51, 2N2297S, 2SC2655, 2N230, 2N2303, 2N2303-46, 2N2303-51, 2N2304, 2N2305, 2N2306, 2N2306A