2SD430 Todos los transistores

 

2SD430 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD430
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD430 Datasheet (PDF)

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2SD430

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD437DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 350V (Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power amplifier and switching regulatorapplications.ABSOLUTE MAXI

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