2SD430. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD430

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD430

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD430 даташит

 9.1. Size:405K  sanyo
 2sd438.pdf pdf_icon

2SD430

 9.2. Size:78K  no
 2sd439.pdf pdf_icon

2SD430

 9.3. Size:183K  inchange semiconductor
 2sd437.pdf pdf_icon

2SD430

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD437 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 350V (Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power amplifier and switching regulator applications. ABSOLUTE MAXI

Другие транзисторы: 2SD424, 2SD425, 2SD426, 2SD427, 2SD427S, 2SD428, 2SD429, 2SD43, S8550, 2SD431, 2SD432, 2SD433, 2SD434, 2SD435, 2SD436, 2SD437, 2SD437W