2SD435 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD435

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO3

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2SD435 datasheet

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2SD435

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD437 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 350V (Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power amplifier and switching regulator applications. ABSOLUTE MAXI

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