2SD435. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD435

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD435

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD435 даташит

 9.1. Size:405K  sanyo
 2sd438.pdf pdf_icon

2SD435

 9.2. Size:78K  no
 2sd439.pdf pdf_icon

2SD435

 9.3. Size:183K  inchange semiconductor
 2sd437.pdf pdf_icon

2SD435

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD437 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 350V (Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power amplifier and switching regulator applications. ABSOLUTE MAXI

Другие транзисторы: 2SD428, 2SD429, 2SD43, 2SD430, 2SD431, 2SD432, 2SD433, 2SD434, A940, 2SD436, 2SD437, 2SD437W, 2SD438, 2SD438MP, 2SD439, 2SD43A, 2SD44