2SD51 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD51

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

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2SD51 datasheet

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2SD51

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD517 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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