2SD51. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD51

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD51

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD51 даташит

 0.1. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd517.pdf pdf_icon

2SD51

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD517 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы: 2SD506, 2SD507, 2SD5071, 2SD5074, 2SD5075, 2SD5076, 2SD508, 2SD509, 13003, 2SD510, 2SD511, 2SD512, 2SD513, 2SD514, 2SD515, 2SD516, 2SD517