2SD512 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD512

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 625 W

Tensión colector-base (Vcb): 110 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 250 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: MT11

 Búsqueda de reemplazo de 2SD512

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SD512 datasheet

 9.1. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd517.pdf pdf_icon

2SD512

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD517 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... 2SD5074, 2SD5075, 2SD5076, 2SD508, 2SD509, 2SD51, 2SD510, 2SD511, S9014, 2SD513, 2SD514, 2SD515, 2SD516, 2SD517, 2SD518, 2SD519, 2SD51A