2SD512. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD512

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 250 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: MT11

 Аналоги (замена) для 2SD512

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD512 даташит

 9.1. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd517.pdf pdf_icon

2SD512

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD517 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы: 2SD5074, 2SD5075, 2SD5076, 2SD508, 2SD509, 2SD51, 2SD510, 2SD511, S9014, 2SD513, 2SD514, 2SD515, 2SD516, 2SD517, 2SD518, 2SD519, 2SD51A