2SD526R Todos los transistores

 

2SD526R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD526R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SD526R

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SD526R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:186K  toshiba
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526R

 8.2. Size:118K  mospec
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526R

AAA

 8.3. Size:531K  semtech
 st2sd526.pdf pdf_icon

2SD526R

ST 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit80 VCollector Base Voltage VCBO 80 VCollector Emitter Voltage VCEO 5 VEmitter Base Voltage VEBO 4 ACollector Current IC 0.4 ABase Current IB OPower Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 WOJunctio

 8.4. Size:167K  inchange semiconductor
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526R

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD526 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB596 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 2025W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 E

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SD523 , 2SD524 , 2SD525 , 2SD525O , 2SD525R , 2SD525Y , 2SD526 , 2SD526O , A1013 , 2SD526Y , 2SD528 , 2SD528H , 2SD529 , 2SD52A , 2SD53 , 2SD530 , 2SD531 .

History: 2SD1232 | PH2226-110M | BLY89C | LDTA123EM3T5G | BDX86A | 2SD2122LB

 

 
Back to Top

 


 
.