2SD526R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD526R

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 90 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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2SD526R datasheet

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2SD526R

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2SD526R

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2SD526R

ST 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 80 V Collector Base Voltage VCBO 80 V Collector Emitter Voltage VCEO 5 V Emitter Base Voltage VEBO 4 A Collector Current IC 0.4 A Base Current IB O Power Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 W O Junctio

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2SD526R

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD526 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB596 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 20 25W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 E

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