2SD526R Todos los transistores

 

2SD526R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD526R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD526R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:186K  toshiba
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2SD526R

 8.2. Size:118K  mospec
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2SD526R

AAA

 8.3. Size:531K  semtech
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2SD526R

ST 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit80 VCollector Base Voltage VCBO 80 VCollector Emitter Voltage VCEO 5 VEmitter Base Voltage VEBO 4 ACollector Current IC 0.4 ABase Current IB OPower Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 WOJunctio

 8.4. Size:167K  inchange semiconductor
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2SD526R

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD526 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB596 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 2025W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 E

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History: DDTA144EE | 2SC324 | AU108F | MJ11022 | KT361G3 | 2PB709S | 2N3308

 

 
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