Справочник транзисторов. 2SD526R

 

Биполярный транзистор 2SD526R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD526R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD526R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:186K  toshiba
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526R

 8.2. Size:118K  mospec
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526R

AAA

 8.3. Size:531K  semtech
 st2sd526.pdf pdf_icon

2SD526R

ST 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit80 VCollector Base Voltage VCBO 80 VCollector Emitter Voltage VCEO 5 VEmitter Base Voltage VEBO 4 ACollector Current IC 0.4 ABase Current IB OPower Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 WOJunctio

 8.4. Size:167K  inchange semiconductor
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526R

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD526 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB596 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 2025W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GT250-6B | MUN5137DW1T1G | 2N6208 | 3CG9 | 2SA1882 | CK27

 

 
Back to Top

 


 
.