2SD560R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD560R

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 3000

Encapsulados: TO220

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2SD560R datasheet

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2SD560R

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SD560 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD560 is a mold power transistor developed for low- ORDERING INFORMATION frequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor is Ordering Name Package ideal for direct driving from the IC output of devices such

 8.2. Size:209K  fuji
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2SD560R

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2SD560R

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD560 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 2000(Min) @I = 3.0A FE C Low Saturation Voltage Complement to Type 2SB601 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifiers and l

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