2SD560R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD560R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD560R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD560R даташит

 8.1. Size:90K  nec
 2sd560.pdf pdf_icon

2SD560R

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SD560 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD560 is a mold power transistor developed for low- ORDERING INFORMATION frequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor is Ordering Name Package ideal for direct driving from the IC output of devices such

 8.2. Size:209K  fuji
 2sd560.pdf pdf_icon

2SD560R

 8.3. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd560.pdf pdf_icon

2SD560R

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD560 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 2000(Min) @I = 3.0A FE C Low Saturation Voltage Complement to Type 2SB601 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifiers and l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD555, 2SD556, 2SD557, 2SD558, 2SD55A, 2SD56, 2SD560, 2SD560O, 2N5401, 2SD560Y, 2SD565, 2SD568, 2SD568O, 2SD568R, 2SD568Y, 2SD569, 2SD569O