2SD612K Todos los transistores

 

2SD612K Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD612K
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 312
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SD612K datasheet

 ..1. Size:303K  sanyo
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 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
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2SD612K

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD612 2SD612K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB632/632K High collector dissipation Wide area of safe operation APPLICATIONS 25V/35V, 2A low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Bas

 8.1. Size:238K  sanyo
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 8.2. Size:214K  inchange semiconductor
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2SD612K

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD612 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 25V(Min.) (BR)CEO High Collector Dissipation Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB632 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Otros transistores... 2SD606 , 2SD608 , 2SD608A , 2SD61 , 2SD610 , 2SD611 , 2SD611A , 2SD612 , D667 , 2SD613 , 2SD613C , 2SD613D , 2SD613E , 2SD613F , 2SD614 , 2SD615 , 2SD616 .

History: RN4984

 

 

 


 
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