Биполярный транзистор 2SD612K - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD612K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 312
Корпус транзистора: TO126
2SD612K Datasheet (PDF)
2sd612k.pdf
Ordering number:341GPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SB632, 632K/2SD612, 612K25V/35V, 2A Low-FrequencyPower Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High collector dissipation and wide ASO.unit:mm2009B[2SB632, 632K/2SD612, 612K]1 : Emitter2 : Collector3 : Base( ) : 2SB632, 632KJEDEC : TO-126SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25
2sd612 2sd612k.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD612 2SD612K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB632/632K High collector dissipation Wide area of safe operation APPLICATIONS 25V/35V, 2A low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Bas
2sd612.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD612DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 25V(Min.)(BR)CEOHigh Collector DissipationWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB632Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
2sd613.pdf
Ordering number:513HPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SB633/2SD61385V/6A, AF 25 to 35W Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO85V, high current 6A.unit:mm AF25 to 35W output.2010C[2SB633/2SD613]JEDEC : TO-220AB 1 : Base( ) : 2SB633EIAJ : SC-46 2 : Collector3 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta =
2sb633p 2sd613p.pdf
Ordering number : ENN66622SB633P/2SD613PPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB633P / 2SD613P85V / 6A, AF 35 to 45W Output ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High breakdown voltage, VCEO 85V,unit : mmhigh current 6A.2010C AF 35 to 45W output.[2SB633P / 2SD613P]10.24.53.65.11.31.20.80.41 : Base2 : Collector1 2 33 : EmitterSpec
2sd613.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD613DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 85V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB633Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency 25~35 watts output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 100
2sd617.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD617DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current Gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SC3588-Z | 2SC3709Y
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050