2SD617 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD617
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2500
Paquete / Cubierta: TO3
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2SD617 datasheet
2sd617.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD617 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High DC Current Gain 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
2sd613.pdf
Ordering number 513H PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB633/2SD613 85V/6A, AF 25 to 35W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO85V, high current 6A. unit mm AF25 to 35W output. 2010C [2SB633/2SD613] JEDEC TO-220AB 1 Base ( ) 2SB633 EIAJ SC-46 2 Collector 3 Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta =
Otros transistores... 2SD613 , 2SD613C , 2SD613D , 2SD613E , 2SD613F , 2SD614 , 2SD615 , 2SD616 , 2N2222 , 2SD619 , 2SD62 , 2SD620 , 2SD621 , 2SD622 , 2SD624 , 2SD625 , 2SD626 .
History: 2SC141
History: 2SC141
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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