2SD640 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD640

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO3

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2SD640 datasheet

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2SD640

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD640 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V (Max.)@ I = 5A CE(sat) C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High voltage switching applicatio

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