2SD640 Todos los transistores

 

2SD640 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD640
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD640 Datasheet (PDF)

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2SD640

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD640DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V (Max.)@ I = 5ACE(sat) CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage switching applicatio

 9.1. Size:102K  toshiba
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 9.2. Size:98K  toshiba
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History: 2SD1879 | MD6003F

 

 
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