2SD640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD640

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD640

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD640 даташит

 ..1. Size:91K  no
 2sd640.pdf pdf_icon

2SD640

 ..2. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd640.pdf pdf_icon

2SD640

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD640 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V (Max.)@ I = 5A CE(sat) C Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High voltage switching applicatio

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD640

 9.2. Size:98K  toshiba
 2sd648.pdf pdf_icon

2SD640

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD633, 2SD634, 2SD635, 2SD636, 2SD637, 2SD638, 2SD639, 2SD64, 13003, 2SD641, 2SD642, 2SD643, 2SD644, 2SD645, 2SD646, 2SD646A, 2SD647