2SD641 Todos los transistores

 

2SD641 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD641
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO3
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SD641 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  toshiba
 2sd641.pdf pdf_icon

2SD641

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
 2sd641.pdf pdf_icon

2SD641

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD641DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V (Max.)@ I = 10ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage switching applications.High power amplifier applications.ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD641

 9.2. Size:98K  toshiba
 2sd648.pdf pdf_icon

2SD641

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.