Справочник транзисторов. 2SD641

 

Биполярный транзистор 2SD641 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD641
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD641

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD641 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  toshiba
2sd641.pdfpdf_icon

2SD641

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
2sd641.pdfpdf_icon

2SD641

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD641DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V (Max.)@ I = 10ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage switching applications.High power amplifier applications.ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:102K  toshiba
2sd647 2sd697.pdfpdf_icon

2SD641

 9.2. Size:98K  toshiba
2sd648.pdfpdf_icon

2SD641

Другие транзисторы... 2SD634 , 2SD635 , 2SD636 , 2SD637 , 2SD638 , 2SD639 , 2SD64 , 2SD640 , A733 , 2SD642 , 2SD643 , 2SD644 , 2SD645 , 2SD646 , 2SD646A , 2SD647 , 2SD647A .

 

 
Back to Top

 


 
.