2SD649 Todos los transistores

 

2SD649 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD649
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 4
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SD649 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
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2SD649

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD649 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Reliability APPLICATIONS Designed for line-operated horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCES Collector-Emitter V

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

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 9.3. Size:92K  toshiba
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History: CTN391 | 2SC3207 | DDTA144VE | AC187-8 | TBC850

 

 
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