2SD649. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD649

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD649 даташит

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
 2sd649.pdf pdf_icon

2SD649

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD649 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Reliability APPLICATIONS Designed for line-operated horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCES Collector-Emitter V

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD649

 9.2. Size:98K  toshiba
 2sd648.pdf pdf_icon

2SD649

 9.3. Size:92K  toshiba
 2sd641.pdf pdf_icon

2SD649

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD644, 2SD645, 2SD646, 2SD646A, 2SD647, 2SD647A, 2SD648, 2SD648A, B772, 2SD65, 2SD650, 2SD650H, 2SD651, 2SD652, 2SD654, 2SD655, 2SD656