Справочник транзисторов. 2SD649

 

Биполярный транзистор 2SD649 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD649
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD649

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD649 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
 2sd649.pdf pdf_icon

2SD649

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD649 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Reliability APPLICATIONS Designed for line-operated horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCES Collector-Emitter V

 9.1. Size:102K  toshiba
 2sd647 2sd697.pdf pdf_icon

2SD649

 9.2. Size:98K  toshiba
 2sd648.pdf pdf_icon

2SD649

 9.3. Size:92K  toshiba
 2sd641.pdf pdf_icon

2SD649

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD644 , 2SD645 , 2SD646 , 2SD646A , 2SD647 , 2SD647A , 2SD648 , 2SD648A , S8550 , 2SD65 , 2SD650 , 2SD650H , 2SD651 , 2SD652 , 2SD654 , 2SD655 , 2SD656 .

 

 
Back to Top

 


 
.