2SD835 Todos los transistores

 

2SD835 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD835
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 400
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SD835 Datasheet (PDF)

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Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD835DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 400(Min) @I = 4AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ignitorRelay& solenoid driversMotor controlsSwitching regulatorsABSOLUTE M

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