Биполярный транзистор 2SD835 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD835
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Корпус транзистора: TO220
Аналог (замена) для 2SD835
2SD835 Datasheet (PDF)
2sd835.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2sd835.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD835DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 400(Min) @I = 4AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ignitorRelay& solenoid driversMotor controlsSwitching regulatorsABSOLUTE M
2sd833.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
Другие транзисторы... 2SD828 , 2SD829 , 2SD83 , 2SD830 , 2SD831 , 2SD832 , 2SD833 , 2SD834 , TIP122 , 2SD836 , 2SD836A , 2SD836B , 2SD837 , 2SD837A , 2SD837B , 2SD838 , 2SD839 .
History: ME503 | 2SD13 | 2SC1606
History: ME503 | 2SD13 | 2SC1606
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt