2SD835 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD835 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD835 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO220

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD835

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD835 даташит

..1. Size:101K fuji
2sd835.pdf pdf_icon

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

..2. Size:213K inchange semiconductor
2sd835.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD835 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 400(Min) @I = 4A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.) @ I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Electronic ignitor Relay& solenoid drivers Motor controls Switching regulators ABSOLUTE M

9.1. Size:96K fuji
2sd833.pdf pdf_icon