2SD856A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD856A  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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2SD856A datasheet

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2SD856A

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2SD856A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD856 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB761 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

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