2SD856A Todos los transistores

 

2SD856A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD856A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SD856A Datasheet (PDF)

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2SD856A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD856DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB761Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

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History: 2SD754 | RT1P130U | 2SD751 | 2SD753 | 2SA495G

 

 
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