2SD856A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SD856A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
2SD856A Datasheet (PDF)
2sd856.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD856 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB761 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY
Другие транзисторы... 2SD850 , 2SD851 , 2SD852 , 2SD854 , 2SD855 , 2SD855A , 2SD855B , 2SD856 , 8550 , 2SD856B , 2SD857 , 2SD857A , 2SD857B , 2SD858 , 2SD858A , 2SD858B , 2SD859 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a | g011n04



