Биполярный транзистор 2SD856A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD856A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналог (замена) для 2SD856A
2SD856A Datasheet (PDF)
2sd856.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD856DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB761Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
Другие транзисторы... 2SD850 , 2SD851 , 2SD852 , 2SD854 , 2SD855 , 2SD855A , 2SD855B , 2SD856 , D209L , 2SD856B , 2SD857 , 2SD857A , 2SD857B , 2SD858 , 2SD858A , 2SD858B , 2SD859 .
History: DRC2514E | MPQ3725 | 2SA20 | D44C11 | L2SD882P | D45C9 | 2SC5120
History: DRC2514E | MPQ3725 | 2SA20 | D44C11 | L2SD882P | D45C9 | 2SC5120



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a | g011n04