2SD856B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD856B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220
2SD856B Datasheet (PDF)
2sd856.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD856DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB761Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
Otros transistores... 2SD851 , 2SD852 , 2SD854 , 2SD855 , 2SD855A , 2SD855B , 2SD856 , 2SD856A , C3198 , 2SD857 , 2SD857A , 2SD857B , 2SD858 , 2SD858A , 2SD858B , 2SD859 , 2SD859A .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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