2SD856B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD856B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD856B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD856B даташит

 8.1. Size:111K  panasonic
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD856B

 8.2. Size:47K  no
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD856B

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD856B

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD856 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB761 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for AF power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD851, 2SD852, 2SD854, 2SD855, 2SD855A, 2SD855B, 2SD856, 2SD856A, 9014, 2SD857, 2SD857A, 2SD857B, 2SD858, 2SD858A, 2SD858B, 2SD859, 2SD859A