Справочник транзисторов. 2SD856B

 

Биполярный транзистор 2SD856B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD856B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SD856B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD856B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:111K  panasonic
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD856B

 8.2. Size:47K  no
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD856B

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD856B

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD856DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB761Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD851 , 2SD852 , 2SD854 , 2SD855 , 2SD855A , 2SD855B , 2SD856 , 2SD856A , C3198 , 2SD857 , 2SD857A , 2SD857B , 2SD858 , 2SD858A , 2SD858B , 2SD859 , 2SD859A .

 

 
Back to Top

 


 
.