2SD930 Todos los transistores

 

2SD930 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD930
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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2SD930 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
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2SD930

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD930DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4VFE C CEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOHigh ReliabilityGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLIC

 9.1. Size:189K  inchange semiconductor
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2SD930

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD935DESCRIPTIONWith TO-3 PackageLow collector saturation voltageGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for color TV horizontal deflection driver and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

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History: 2SC5517 | 2SD574

 

 
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