2SD930 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD930  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD930

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD930 даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd930.pdf pdf_icon

2SD930

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD930 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 180V(Min) (BR)CEO High Reliability Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLIC

 9.1. Size:189K  inchange semiconductor
 2sd935.pdf pdf_icon

2SD930

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD935 DESCRIPTION With TO-3 Package Low collector saturation voltage Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection driver and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

Другие транзисторы: 2SD921, 2SD922, 2SD923, 2SD926, 2SD927, 2SD928, 2SD929, 2SD93, 2222A, 2SD931, 2SD932, 2SD933, 2SD934, 2SD935, 2SD936, 2SD937, 2SD938