2SD987 Todos los transistores

 

2SD987 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD987
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD987 Datasheet (PDF)

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2SD987

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD986DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min.)(BR)CEODC Current Gain-: h = 2000(Min) @ I = 1AFE CLow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SB795Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThey are suitable for use to operate from IC

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History: NJVMJD45H11T4G | CMBT847F | BD682A | 3DG12 | BSX52A | UNR921KJ

 

 
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