2SD987 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD987  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD987

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD987 даташит

 ..1. Size:36K  no
 2sd987.pdf pdf_icon

2SD987

 9.1. Size:152K  nec
 2sd985 2sd986.pdf pdf_icon

2SD987

 9.2. Size:61K  fuji
 2sd982.pdf pdf_icon

2SD987

 9.3. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd986.pdf pdf_icon

2SD987

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD986 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h = 2000(Min) @ I = 1A FE C Low Collector Saturation Voltage Complement to Type 2SB795 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS They are suitable for use to operate from IC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD985, 2SD985O, 2SD985R, 2SD985Y, 2SD986, 2SD986O, 2SD986R, 2SD986Y, S8550, 2SD990, 2SD991, 2SD991K, 2SD992, 2SD993, 2SD994, 2SD995, 2SD997