3N130 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N130 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 8 MHz
Encapsulados: TO72
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3N130 datasheet
3n13003gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 3N SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 0 Volts CURRENT Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (TO-126) TO-126 * PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate). * High saturation current capability. .114(2.90) .307(7.80) .059(1.50) .098(2.50) .291(7.40) CONSTRUCTION .043(1.10) .161(4.1
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SA183 | PBRP123ET | TA2458
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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