3N130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N130  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N130 даташит

 0.1. Size:349K  chenmko
 3n13003gp.pdf pdf_icon

3N130

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 3N SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 0 Volts CURRENT Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (TO-126) TO-126 * PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate). * High saturation current capability. .114(2.90) .307(7.80) .059(1.50) .098(2.50) .291(7.40) CONSTRUCTION .043(1.10) .161(4.1

Другие транзисторы: 3N117, 3N118, 3N119, 3N120, 3N121, 3N123, 3N127, 3N129, 2SC2383, 3N131, 3N132, 3N133, 3N134, 3N135, 3N136, 3N34, 3N35