3N57 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N57
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 18 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO12
Búsqueda de reemplazo de 3N57
3N57 Datasheet (PDF)
0.1. Size:467K way-on
wm03n57m.pdf
wm03n57m.pdf
WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR
Otros transistores... 3N133 , 3N134 , 3N135 , 3N136 , 3N34 , 3N35 , 3N35A , 3N56 , BD136 , 3N62 , 3N63 , 3N64 , 3N65 , 3N66 , 3N67 , 3N68 , 3N68A .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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