3N57 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N57  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: TO12

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N57

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N57 даташит

 0.1. Size:467K  way-on
 wm03n57m.pdf pdf_icon

3N57

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS D R

Другие транзисторы: 3N133, 3N134, 3N135, 3N136, 3N34, 3N35, 3N35A, 3N56, BD136, 3N62, 3N63, 3N64, 3N65, 3N66, 3N67, 3N68, 3N68A