3N66 Todos los transistores

 

3N66 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N66
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: TO72

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3N66

 

3N66 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:187K  isahaya
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3N66

RT3N66M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3N66M is composite transistor built with two 1.25 RT1N430 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

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History: NB022FV | FJN3301R | 2SD389 | MS1649 | BUT36 | 2SD2182 | DTA044EEB

 

 
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