Справочник транзисторов. 3N66

 

Биполярный транзистор 3N66 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3N66
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 3N66

 

 

3N66 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:187K  isahaya
rt3n66m.pdf

3N66
3N66

RT3N66M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3N66M is composite transistor built with two 1.25 RT1N430 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top