Биполярный транзистор 3N66 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3N66
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Корпус транзистора: TO72
3N66 Datasheet (PDF)
0.1. Size:187K isahaya
rt3n66m.pdf
rt3n66m.pdf
RT3N66M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3N66M is composite transistor built with two 1.25 RT1N430 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050