3N66 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N66  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N66

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N66 даташит

 0.1. Size:187K  isahaya
 rt3n66m.pdf pdf_icon

3N66

RT3N66M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3N66M is composite transistor built with two 1.25 RT1N430 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы: 3N35, 3N35A, 3N56, 3N57, 3N62, 3N63, 3N64, 3N65, BDT88, 3N67, 3N68, 3N68A, 3N69, 3N70, 3N71, 3N72, 3N73