9003 Todos los transistores

 

9003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 9003
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

9003 Datasheet (PDF)

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9003

TPHR9003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.

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9003

PMD9003DMOSFET driverRev. 01 24 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN Resistor-Equipped Transistor (RET), NPN general-purpose transistor andhigh-speed switching diode connected in totem pole configuration in a smallSOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features Two transistors and one high-speed switching dio

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: INA6006AC1 | ECG238 | CSD880GR | 2SC2947 | BC231B | 2SA816 | 2N197

 

 
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