9003 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 9003

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 110

Encapsulados: TO92

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9003 datasheet

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9003

TPHR9003NL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPHR9003NL TPHR9003NL TPHR9003NL TPHR9003NL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 16 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.

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9003

PMD9003D MOSFET driver Rev. 01 24 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN Resistor-Equipped Transistor (RET), NPN general-purpose transistor and high-speed switching diode connected in totem pole configuration in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Two transistors and one high-speed switching dio

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