9003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 9003
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 9003
9003 Datasheet (PDF)
tphr9003nl.pdf
TPHR9003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.
pmd9003d.pdf
PMD9003DMOSFET driverRev. 01 24 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN Resistor-Equipped Transistor (RET), NPN general-purpose transistor andhigh-speed switching diode connected in totem pole configuration in a smallSOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features Two transistors and one high-speed switching dio
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History: 2SC2992 | FPN330
Liste
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