Справочник транзисторов. 9003

 

Биполярный транзистор 9003 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 9003
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 9003

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

9003 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:223K  toshiba
 tphr9003nl.pdf pdf_icon

9003

TPHR9003NLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NLTPHR9003NL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 16 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.

 0.2. Size:122K  nxp
 pmd9003d.pdf pdf_icon

9003

PMD9003DMOSFET driverRev. 01 24 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN Resistor-Equipped Transistor (RET), NPN general-purpose transistor andhigh-speed switching diode connected in totem pole configuration in a smallSOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features Two transistors and one high-speed switching dio

Другие транзисторы... 7NU73 , 7NU74 , 8003BBA , 8003BBB , 8050 , 80DA020D , 810BLYA , 8550 , BD140 , 9010 , 9011 , 9011D , 9011E , 9011F , 9011G , 9011H , 9011I .

 

 
Back to Top

 


 
.