9003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 9003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 9003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

9003 даташит

 0.1. Size:223K  toshiba
 tphr9003nl.pdf pdf_icon

9003

TPHR9003NL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TPHR9003NL TPHR9003NL TPHR9003NL TPHR9003NL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 16 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.

 0.2. Size:122K  nxp
 pmd9003d.pdf pdf_icon

9003

PMD9003D MOSFET driver Rev. 01 24 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN Resistor-Equipped Transistor (RET), NPN general-purpose transistor and high-speed switching diode connected in totem pole configuration in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Two transistors and one high-speed switching dio

Другие транзисторы: 7NU73, 7NU74, 8003BBA, 8003BBB, 8050, 80DA020D, 810BLYA, 8550, S8050, 9010, 9011, 9011D, 9011E, 9011F, 9011G, 9011H, 9011I