AC110 Todos los transistores

 

AC110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AC110
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 80 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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AC110 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:2395K  1
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AC110

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10A N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(onTYP ID 3.4m@10V100V 110A4.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAC110SN10A uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

 0.2. Size:2101K  1
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AC110

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 1.8m@10V30 V110A3.5m@4.5VDESCRIPTION FEATURES

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AC110

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m@10V 110ADESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

 0.4. Size:2101K  jiangsu
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AC110

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 1.8m@10V30 V110A3.5m@4.5VDESCRIPTION FEATURES

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History: L8050HSLT1G | KSC388 | 2SC4681A | 2SC4738 | BFV85E | T1282 | KSB596

 

 
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