AC110 - описание и поиск аналогов

 

AC110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AC110

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 80 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для AC110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AC110 даташит

 0.1. Size:2395K  1
 cjac110sn10a.pdf pdf_icon

AC110

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10A N-Channel Power MOSFET PDFN 5 6-8L V(BR)DSS RDS(onTYP ID 3.4m @10V 100V 110A 4.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAC110SN10A uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

 0.2. Size:2101K  1
 cjac110n03.pdf pdf_icon

AC110

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L 1.8m @10V 30 V 110A 3.5m @4.5V DESCRIPTION FEATURES

 0.3. Size:1662K  1
 cjac110sn10.pdf pdf_icon

AC110

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFET PDFN 5 6-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m @10V 110A DESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

 0.4. Size:2101K  jiangsu
 cjac110n03.pdf pdf_icon

AC110

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L 1.8m @10V 30 V 110A 3.5m @4.5V DESCRIPTION FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: A8T3702, AC105, AC106, AC107, AC107M, AC107N, AC108, AC109, D880, AC113, AC114, AC115, AC116, AC116GN, AC116Y, AC117, AC117R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.