AC110 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор AC110 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: AC110
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 80 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO1

Аналоги (замена) для AC110

AC110 Datasheet (PDF)

0.1. Size:2395K 1
cjac110sn10a.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10A N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(onTYP ID 3.4m@10V100V 110A4.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAC110SN10A uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

0.2. Size:2101K 1
cjac110n03.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 1.8m@10V30 V110A3.5m@4.5VDESCRIPTION FEATURES

0.3. Size:1662K 1
cjac110sn10.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m@10V 110ADESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

0.4. Size:2101K jiangsu
cjac110n03.pdf