2N2555 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2555

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.22 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: MT27

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2N2555 datasheet

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2N2555

2N5550 / 2N5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N5400 and 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

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