Биполярный транзистор 2N2555 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2555
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.22 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: MT27
2N2555 Datasheet (PDF)
0.1. Size:151K semtech
2n25550 2n25551.pdf
2n25550 2n25551.pdf
2N5550 / 2N5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N5400 and 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Другие транзисторы... 2N254 , 2N2540 , 2N2541 , 2N255 , 2N2551 , 2N2552 , 2N2553 , 2N2554 , TIP31C , 2N2556 , 2N2557 , 2N2558 , 2N2559 , 2N255A , 2N256 , 2N2560 , 2N2561 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050