Справочник транзисторов. 2N2555

 

Биполярный транзистор 2N2555 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N2555
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.22 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: MT27
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N2555 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:151K  semtech
 2n25550 2n25551.pdf pdf_icon

2N2555

2N5550 / 2N5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N5400 and 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Другие транзисторы... 2N254 , 2N2540 , 2N2541 , 2N255 , 2N2551 , 2N2552 , 2N2553 , 2N2554 , BC327 , 2N2556 , 2N2557 , 2N2558 , 2N2559 , 2N255A , 2N256 , 2N2560 , 2N2561 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.