AF113 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AF113  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.065 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO1

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AF113 datasheet

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AF113

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF113Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF113Z DRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac

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