Справочник транзисторов. AF113

 

Биполярный транзистор AF113 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AF113
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.065 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO1
 

 Аналог (замена) для AF113

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF113 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:225K  panasonic
 draf113z.pdf pdf_icon

AF113

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF113ZSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF113ZDRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePac

Другие транзисторы... AF106N , AF107 , AF108 , AF109 , AF109R , AF110 , AF111 , AF112 , A1015 , AF114 , AF114N , AF115 , AF115N , AF116 , AF116N , AF117 , AF117N .

 

 
Back to Top

 


 
.