AF113 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF113  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.065 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF113

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF113 даташит

 0.1. Size:225K  panasonic
 draf113z.pdf pdf_icon

AF113

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF113Z Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF113Z DRA3113Z in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac

Другие транзисторы: AF106N, AF107, AF108, AF109, AF109R, AF110, AF111, AF112, TIP41, AF114, AF114N, AF115, AF115N, AF116, AF116N, AF117, AF117N