AF115N Todos los transistores

 

AF115N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF115N
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
   Tensión colector-base (Vcb): 32 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO44
     - Selección de transistores por parámetros

 

AF115N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:225K  panasonic
 draf115e.pdf pdf_icon

AF115N

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF115ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF115EDRA3115E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePacka

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: PBSS303ND | 2SD1223 | GT125D | 2SC3736 | 2SD1207R | D11C5B1 | 2SB711

 

 
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