AF115N Todos los transistores

 

AF115N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AF115N
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
   Tensión colector-base (Vcb): 32 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO44
 

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AF115N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:225K  panasonic
 draf115e.pdf pdf_icon

AF115N

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF115ESilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF115EDRA3115E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePacka

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